ON Semiconductor
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NVMFD5C650NLT1G
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NVMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Número de pieza
NVMFD5C650NLT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Potencia - Máx.
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 98µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2546pF @ 25V
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