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HAT2160H-EL-E

HAT2160H-EL-E

MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Número de pieza
HAT2160H-EL-E
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-100, SOT-669
Paquete de dispositivo del proveedor
LFPAK
Disipación de energía (máx.)
30W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7750pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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