Comprar Renesas Electronics America HAT2160H-EL-E MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK

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Hojas de datos

HAT2160H-EL-E

MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK

Número de pieza

HAT2160H-EL-E

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-100, SOT-669

Paquete de dispositivo del proveedor

LFPAK

Disipación de energía (máx.)

30W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7750pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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