Comprar Renesas Electronics America RJK6032DPH-E0#T2 MOSFET N-CH 600V 3A TO251

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

RJK6032DPH-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Número de pieza

RJK6032DPH-E0#T2

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-251

Disipación de energía (máx.)

40.3W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.3 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 35309 PCS

Información del contacto