Comprar Renesas Electronics America UPA2825T1S-E2-AT MOSFET N-CH 30V 8HVSON

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

UPA2825T1S-E2-AT

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Número de pieza

UPA2825T1S-E2-AT

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerWDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

Disipación de energía (máx.)

1.5W (Ta), 16.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

24A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 47697 PCS

Información del contacto