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QS8M51TR
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Número de pieza
QS8M51TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
1.5W
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT8
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A, 1.5A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
325 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
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