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R6004JND3TL1
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Número de pieza
R6004JND3TL1
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252
Disipación de energía (máx.)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
7V @ 450µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 100V
Vgs (máx.)
±30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
15V
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