Comprar Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

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Hojas de datos

RQ3E120BNTB

MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Número de pieza

RQ3E120BNTB

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-HSMT (3.2x3)

Disipación de energía (máx.)

2W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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