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RUF025N02TL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Número de pieza
RUF025N02TL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
TUMT3
Disipación de energía (máx.)
320mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±10V
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