Taiwan Semiconductor Corporation
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KBP307G C2
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KBP307G C2

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A KBP
Número de pieza
KBP307G C2
Fabricante/Marca
Taiwan Semiconductor Corporation
Estado de la pieza
Obsolete
Tecnología
Standard
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
4-SIP, KBP
Paquete de dispositivo del proveedor
KBP
Tipo de diodo
Single Phase
Voltaje: pico inverso (máx.)
1kV
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
3A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.1V @ 3A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
10µA @ 1000V
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