Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

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TSM052N06PQ56 RLG

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Número de pieza

TSM052N06PQ56 RLG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PDFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

83W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3686pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±25V

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