Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

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TSM061NA03CV RGG

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Número de pieza

TSM061NA03CV RGG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerWDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PDFN (3x3)

Disipación de energía (máx.)

44.6W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

66A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19.3nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1136pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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