Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM126CX RFG MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23

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Hojas de datos

TSM126CX RFG

MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23

Número de pieza

TSM126CX RFG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30mA (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

800 Ohm @ 16mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 8µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.18nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

51.42pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

0V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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