Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR 40V 41A 15MO N-CHANNEL POWER MOS

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

TSM150NB04CR

40V 41A 15MO N-CHANNEL POWER MOS

Número de pieza

TSM150NB04CR

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PDFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.1W (Ta), 56W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Ta), 41A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 20V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 48389 PCS

Información del contacto