Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3 MOSFET N-CH 600V TO92

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TSM1NB60SCT A3

MOSFET N-CH 600V TO92

Número de pieza

TSM1NB60SCT A3

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Estado de la pieza

Obsolete

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-92

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

500mA (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V

Vgs (máx.)

±30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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