Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CP ROG MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

TSM60N900CP ROG

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

Número de pieza

TSM60N900CP ROG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-252, (D-Pak)

Disipación de energía (máx.)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 46053 PCS

Información del contacto