Comprar Texas Instruments CSD16411Q3 MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

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Hojas de datos

CSD16411Q3

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

Número de pieza

CSD16411Q3

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-VSON (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

2.7W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

14A (Ta), 56A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 12.5V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+16V, -12V

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