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CSD17318Q2

CSD17318Q2

30V N CH MOSFET
Número de pieza
CSD17318Q2
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-WSON (2x2)
Disipación de energía (máx.)
16W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
25A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
15.1 mOhm @ 8A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
879pF @ 15V
Vgs (máx.)
±10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 8V
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