Comprar Texas Instruments CSD19506KTT MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

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Hojas de datos

CSD19506KTT

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Número de pieza

CSD19506KTT

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Paquete de dispositivo del proveedor

DDPAK/TO-263-3

Disipación de energía (máx.)

375W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

80V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

200A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

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