Comprar Texas Instruments CSD25310Q2T 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

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CSD25310Q2T

20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

Número de pieza

CSD25310Q2T

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-WDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-WSON (2x2)

Disipación de energía (máx.)

2.9W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

23.9 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

655pF @ 10V

Vgs (máx.)

±8V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

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