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TPS1120DR
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Número de pieza
TPS1120DR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
840mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
15V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.17A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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