Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(TE24L,Q) MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

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2SK3309(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Número de pieza

2SK3309(TE24L,Q)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220SM

Disipación de energía (máx.)

65W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

450V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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