Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT(TPL3) MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3

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SSM3J15CT(TPL3)

MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3

Número de pieza

SSM3J15CT(TPL3)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVI

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-101, SOT-883

Paquete de dispositivo del proveedor

CST3

Disipación de energía (máx.)

100mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.1pF @ 3V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4V

Vgs (máx.)

±20V

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