Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T(TE85L,F) MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

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Hojas de datos

SSM3J306T(TE85L,F)

MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

Número de pieza

SSM3J306T(TE85L,F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TSM

Disipación de energía (máx.)

700mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.4A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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