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SSM3K318T,LF
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Número de pieza
SSM3K318T,LF
Fabricante/Marca
Serie
U-MOSIV
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TSM
Disipación de energía (máx.)
700mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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