Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK11P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

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Hojas de datos

TK11P65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

Número de pieza

TK11P65W,RQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK

Disipación de energía (máx.)

100W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 450µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 300V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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