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TK8A60W,S4VX
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TK8A60W,S4VX

MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Número de pieza
TK8A60W,S4VX
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Disipación de energía (máx.)
30W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Super Junction
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.7V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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