Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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TPCC8093,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza

TPCC8093,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

1.9W (Ta), 30W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

21A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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