Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01(TE85L) MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

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TPCF8A01(TE85L)

MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

Número de pieza

TPCF8A01(TE85L)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Estado de la pieza

Obsolete

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Paquete de dispositivo del proveedor

VS-8 (2.9x1.5)

Disipación de energía (máx.)

330mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

49 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 200µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

Vgs (máx.)

±12V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2V, 4.5V

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