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TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Número de pieza
TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricante/Marca
Serie
U-MOSIII
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor
VS-8 (2.9x1.5)
Disipación de energía (máx.)
330mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.7A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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