Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

TPH2R506PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza

TPH2R506PL,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOP Advance (5x5)

Disipación de energía (máx.)

132W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5435pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 18028 PCS

Información del contacto