Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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TPH6R30ANL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza

TPH6R30ANL,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOP Advance (5x5)

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 54W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

66A (Ta), 45A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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