Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH,L1Q MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

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Hojas de datos

TPN1600ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Número de pieza

TPN1600ANH,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

700mW (Ta), 42W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

17A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 200µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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