Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPN1R603PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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Hojas de datos

TPN1R603PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza

TPN1R603PL,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

104W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

10V @ 10µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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