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TPN2R805PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Número de pieza
TPN2R805PL,L1Q
Fabricante/Marca
Serie
U-MOSIX-H
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
45V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
139A (Ta), 80A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 300µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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