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TPH3206LDB

MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Número de pieza

TPH3206LDB

Fabricante/Marca

Transphorm

Serie

Estado de la pieza

Last Time Buy

embalaje

Tube

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-PowerDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PQFN (8x8)

Disipación de energía (máx.)

81W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

16A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 10A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.6V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 480V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±18V

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