Comprar Vishay Siliconix 2N6661 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

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Hojas de datos

2N6661

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Número de pieza

2N6661

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-39

Disipación de energía (máx.)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

90V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

860mA (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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