La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF610L
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Número de pieza
IRF610L
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-262
Disipación de energía (máx.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.3A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 38614 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF610L
IRF610L Componentes electrónicos
IRF610L Ventas
IRF610L Proveedor
IRF610L Distribuidor
IRF610L Tabla de datos
IRF610L Fotos
IRF610L Precio
IRF610L Oferta
IRF610L El precio más bajo
IRF610L Buscar
IRF610L Adquisitivo
IRF610L Chip