La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF830AL
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
Número de pieza
IRF830AL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK
Disipación de energía (máx.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 44793 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF830AL
IRF830AL Componentes electrónicos
IRF830AL Ventas
IRF830AL Proveedor
IRF830AL Distribuidor
IRF830AL Tabla de datos
IRF830AL Fotos
IRF830AL Precio
IRF830AL Oferta
IRF830AL El precio más bajo
IRF830AL Buscar
IRF830AL Adquisitivo
IRF830AL Chip