La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF830S

IRF830S

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Número de pieza
IRF830S
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D2PAK
Disipación de energía (máx.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 29762 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRF830S
IRF830S Componentes electrónicos
IRF830S Ventas
IRF830S Proveedor
IRF830S Distribuidor
IRF830S Tabla de datos
IRF830S Fotos
IRF830S Precio
IRF830S Oferta
IRF830S El precio más bajo
IRF830S Buscar
IRF830S Adquisitivo
IRF830S Chip