Comprar Vishay Siliconix IRFD120PBF MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IRFD120PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Número de pieza

IRFD120PBF

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Paquete de dispositivo del proveedor

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Disipación de energía (máx.)

1.3W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 780mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 48571 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP