Comprar Vishay Siliconix IRFD210 MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP

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IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP

Número de pieza

IRFD210

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Paquete de dispositivo del proveedor

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

600mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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