La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFD9210PBF
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Número de pieza
IRFD9210PBF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
400mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 23394 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFD9210PBF
IRFD9210PBF Componentes electrónicos
IRFD9210PBF Ventas
IRFD9210PBF Proveedor
IRFD9210PBF Distribuidor
IRFD9210PBF Tabla de datos
IRFD9210PBF Fotos
IRFD9210PBF Precio
IRFD9210PBF Oferta
IRFD9210PBF El precio más bajo
IRFD9210PBF Buscar
IRFD9210PBF Adquisitivo
IRFD9210PBF Chip