Comprar Vishay Siliconix IRFI830G MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP

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IRFI830G

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP

Número de pieza

IRFI830G

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

35W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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