Comprar Vishay Siliconix IRFIBF30GPBF MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

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IRFIBF30GPBF

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

Número de pieza

IRFIBF30GPBF

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

35W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

900V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.7 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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