Comprar Vishay Siliconix IRLI640G MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

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IRLI640G

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

Número de pieza

IRLI640G

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

40W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 5.9A, 5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 5V

Vgs (máx.)

±10V

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