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SI1031R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
Número de pieza
SI1031R-T1-GE3
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-75A
Disipación de energía (máx.)
250mW (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
140mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
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Palabras clave deSI1031R-T1-GE3
SI1031R-T1-GE3 Componentes electrónicos
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