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SI1032X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Número de pieza
SI1032X-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-89, SOT-490
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-89-3
Disipación de energía (máx.)
300mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
200mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±6V
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