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SI1039X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
Número de pieza
SI1039X-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-89-6
Disipación de energía (máx.)
170mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
870mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 870mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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