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SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
Número de pieza
SI1411DH-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
420mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deSI1411DH-T1-GE3
SI1411DH-T1-GE3 Componentes electrónicos
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