Comprar Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

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Hojas de datos

SI2325DS-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Número de pieza

SI2325DS-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Disipación de energía (máx.)

750mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

150V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

530mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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